Anuncian gran avance tecnológico en la fabricación de semiconductores

AMD e IBM anuncian un avance tecnológico revolucionario para la fabricación de semiconductores. Esta innovación tiene como objetivo mejorar el desempeño y economizar energía en los futuros procesadores de uno o varios núcleos. AMD e IBM anunciaron hoy una nueva tecnología de transistores de silicio rígido para mejorar el desempeño y la economía de los procesadores. Este revolucionario proceso incrementa la velocidad del transistor en un 24 por ciento, con los mismos niveles de energía, en comparación con transistores equivalentes fabricados sin esta tecnología. Los transistores más veloces y económicos son la base de procesadores de mayor rendimiento y más ahorradores. A medida que los transistores se vuelven más pequeños, operan con mayor rapidez, pero corren el riesgo de necesitar más energía y calor debido al escape del flujo eléctrico o a una conmutación ineficiente. El silicio rígido, desarrollado conjuntamente por AMD e IBM, ayuda a superar estos problemas. Además, este proceso convierte a AMD e IBM en las primeras compañías en lanzar el silicio rígido que funciona con la tecnología de silicio sobre aislador (SOI; por sus siglas en inglés), lo cual resulta en un rendimiento adicional y un ahorro de energía. "Las innovadoras tecnologías de procesamiento, tales como el silicio rígido, permiten a AMD brindar mayor valor a nuestros clientes", dijo Dirk Meyer, Vicepresidente Ejecutivo del Grupo de Productos de Cómputo de AMD. "Nuestro progreso común en el desarrollo de nuevas tecnologías de silicio permiten a AMD brindar el mejor rendimiento por vatio, y se espera que el silicio rígido expanda esta ventaja cuando a mediados de 2005 empecemos a enviar el procesador de doble núcleo AMD Opteron(tm)". AMD planea integrar gradualmente la nueva tecnología del silicio rígido en todas sus plataformas de procesadores de 90nm, incluyendo sus futuros procesadores AMD64 multinúcleos. AMD planea lanzar los primeros procesadores AMD64 de 90nm con esta tecnología en el primer semestre de 2005. Por su parte, IBM proyecta lanzar la tecnología en plataformas de múltiples procesadores de 90nm, incluyendo sus chips de Arquitectura de Energía, con sus primeros productos para estar disponibles en el primer semestre de 2005. "La innovación ha superado a la expansión como el principal impulsor de los progresos en tecnología de semiconductores", dijo Lisa Su, Vicepresidente de Alianzas y Desarrollo de Tecnología del Grupo de Sistemas y Tecnología de IBM. "Este logro junto con AMD demuestra que las empresas que están dispuestas a compartir sus conocimientos y habilidades pueden encontrar nuevas maneras de superar obstáculos, y a conducir a la industria a los avances tecnológicos de la próxima generación". El nuevo proceso de silicio rígido, llamado "Revestimiento de Doble Tensión", mejora el desempeño de ambas clases de transistores de semiconductor, llamados transistores de canal n y canal p, al estirar los átomos de silicio en un solo transistor y comprimirlos en el otro. La técnica de revestimiento de doble tensión funciona sin tener que introducir nuevas y costosas técnicas de producción, lo cual permite su rápida integración a la fabricación de volumen por medio de herramientas y materiales ordinarios. Los investigadores de AMD e IBM son los primeros en la industria en mejorar el desempeño de ambos tipos de transistores en semiconductores con materiales convencionales. "Este avance en la ingeniería del silicio rígido es el resultado de nuestra alianza de desarrollo en conjunto y del trabajo de nuestros equipos en las instalaciones de IBM en Nueva York y de AMD en Alemania", dijo Nick Kepler, Vicepresidente de Desarrollo de Tecnología Lógica de AMD. "Es la mejor forma de mejorar el desempeño y el ahorro de energía que esperan los consumidores de procesadores AMD Opteron(tm) y AMD Athlon(tm) 64". Los detalles de la innovación de Revestimiento de Doble Tensión de AMD-IBM serán discutidos en el Encuentro Internacional de Dispositivos Electrónicos de la IEEE (2004 IEEE International Electron Devices Meeting) en San Francisco, California, del 13 al 15 de diciembre de 2004. El Revestimiento de Doble Tensión con tecnología SOI fue desarrollado por ingenieros de IBM, AMD, Sony y Toshiba en el Centro de Investigación y Desarrollo de Semiconductores de IBM (SRDC) en East Fishkill, NY, así como por ingenieros de AMD en su planta de Fab 30 en Dresde, Alemania. Desde enero de 2003 IBM y AMD han estado colaborando en el desarrollo de tecnologías de fabricación de semiconductores de próxima generación.  Publicado por: Karla Velasquez Fuente: http://www.pergaminovirtual.com.ar/revista/cgi-bin/hoy/archivos/00001501.shtml