Definición:
Diodo (valvular): Es una válvula electrónica que consta de un ánodo frío y un cátodo caldeado. Se emplea como rectificador. También es conocido como una variante más sencilla del tubo termoiónico. Su cátodo es un filamento de tungsteno cubierto de óxido de torio; al aumentar la temperatura del filamento, el óxido de torio emite electrones que son atraídos por el ánodo o placa, que tiene carga positiva por hallarse conectado al terminal correspondiente de una batería.
El diodo fue ideado por Fleming (1905) para utilizarlo como conductor eléctrico unidireccional en la detección de señales de telegrafía inalámbricas. En su primera versión, el aparato sólo conducía corriente cuando la placa se cargaba positivamente durante los semiciclos positivos de las ondas de radio; la conducción se interrumpía por completo en los semiciclos negativos. La válvula de Fleming apenas difería en diseño de los modernos rectificadores de tubo de vacío que transforman la corriente alterna en continua. Sin embargo, hoy pueden emplearse montajes especiales, como el de diodos gemelos, que hacen fluir corriente continua durante los dos semiciclos de la corriente alterna.
La instalación, denominada rectificador de onda completa, es muy corriente en equipos electrónicos. Las principales limitaciones del diodo se deben a la carga espacial, o acumulación de electrones sin absorber entre el ánodo y el cátodo, y la emisión secundaria de electrones en el ánodo, provocada por la incidencia en él de los procedentes del cátodo. Ambos fenómenos tienden a repeler el haz electrónico y limitan la corriente de calentamiento y el voltaje eficaces.
DIODO DE AVALANCHA-DIODO DE CRISTAL:
Diodo de avalancha: También llamado como diodo de ruptura. Diodo que tiene una alta relación de resistencia inversa/directa hasta que se produce la ruptura por avalancha. Después de la ruptura, la caída de tensión en el diodo es especialmente constante, e independiente de la corriente. Se usa para aplicaciones regulación y limitación de tensión. Se le llamó originalmente diodo Zéner, hasta que el efecto Zéner no era significativo en el funcionamiento en los diodos de este tipo.
Diodo de barrera intrínseca: diodo PIN en el que una región delgada de material intrínseco separa las regiones del tipo n y p.
Diodo de barrera Schottky: Diodo de unión donde la unión está formada entre el semiconductor y un contacto metálico en lugar de entre materiales semiconductores diferentes, como en el caso del Diodo de unión pn de unión.
Diodo de capacidad variable: Diodo semiconductor en el que la capacidad de unión presente en todos los diodos semiconductores, ha sido acentuada. Un cambio apreciable en el espesor de la capa unión-deplexión y un cambio correspondiente en la capacidad se presentan cuando se modifica la tensión continua aplicada al Diodo.
Diodo de circulación libre: conectado a través de una carga inductiva de tal manera que conduce la corriente proporcionalmente a la energía almacenada en la inductancia. Esta corriente circula cuando no se administra tensión en la carga y continúa hasta que toda la energía almacenada en el inductor se consume o hasta que se suministre de nuevo energía a la inductancia desde la fuente de potencia.
Diodo de contacto de punta: Diodo que consiste en un semiconductor contra el que presiona un cable muy fino. Este Diodo tiene una inductancia muy pequeña y puede ser utilizado como detector o mezclador de señales de toda la región de las microondas. Tiene una respuesta de ley en los niveles bajos de potencia.
DIODO DE CRISTAL DE CONTACTO DE PUNTA-DIODO DE RUPTURA BRUSCA:
Diodo de cristal: dispositivo semiconductor de dos electrodos que utiliza las propiedades rectificadoras de una unión pn (Diodo de unión) o de un punto metálico crítico en contacto con un material semiconductor (Diodo de puntas de contacto).
Diodo de contacto de punta: Diodo de cristal cuyo funcionamiento rectificador se determina presionando el cristal con un conductor muy puntiagudo rodeado por un material de tipo opuesto.
Diodo de cuatro capas: Diodo semiconductor que tiene tres uniones con conexiones hechas sólo en las dos capas exteriores que forman las uniones.
Diodo de doble base: véase transistor uniunión.
Diodo de gas: válvula con un cátodo caliente y un ánodo en una ampolla que contiene una pequeña cantidad de gas. Cuando está lo suficientemente positivo, los electrones que se dirigen a él chocan con átomos de gas y lo ionizan. Como resultado, la corriente del ánodo es mucho más fuerte que la que habría en un Diodo equivalente en el vacío.
Diodo de germanio: Diodo semiconductor en el que se usa una placa de cristal de germanio como elemento rectificador.
Diodo de microondas: dispositivo con dos terminales que responde en la región de microondas del espectro magnético, normalmente considerada extendida entre uno y trescientos GHz.
Diodo de portadores de alta energía: Diodo en el que una unión metal semiconductor controlada muy estrictamente produce la eliminación virtual de la carga almacenada. El Diodo tiene unos tiempos de conmutación rápidos, tiene unas características directas o inversas excelentes, muy bajo nivel de ruido, y un amplio rango dinámico.
Diodo de recuperación abrupta: varactor en el que la tensión directa inyecta portadores a través de la unión, pero antes que los portadores puedan combinarse, la tensión se invierte y los portadores vuelven a su origen en grupo. El resultado es el cese brusco de la corriente inversa y la generación de onda rica en armónicos.
Diodo de ruido: fuente estándar de ruido eléctrico que tiene una impedancia interna infinita y en el que la corriente presenta fluctuaciones de ruido de granada pleno.
Diodo de ruptura brusca: Diodo de silicio pasivado en epitaxial planar que se procesa de forma que se almacena una carga próxima a la unión cuando conduce el Diodo. Con la aplicación de tensión inversa, la carga almacenada fuerza el Diodo conmutar rápidamente el estado del bloqueo.
DIODO DE SEÑAL-DIODO EMISOR DE INFRARROJOS:
Diodo de señal: Diodo semiconductor utilizado con el propósito de extraer o procesar información contenida en una señal eléctrica variable con el tiempo, y que puede ser de naturaleza analógica o digital.
Diodo de silicio: cristal detector utilizado para rectificar o detectar señales de UHF y SHF. Consiste en un contacto de metal mantenido sujeto contra un trozo de silicio en el estado cristalino particular.
Diodo de sintonización: Diodo varactor empleado para sintonización de radiofrecuencia. Este incluye funciones tales como control automático de frecuencia, y ajuste de sintonización automático.
Diodo de tensión de referencia: Diodo que proporciona en sus terminales una tensión de referencia de precisión determinada cuando es polarizado para operar dentro de un determinado rango de corriente.
Diodo de tres capas: elemento con dos terminales controlado por tensión que presenta una característica bilateral con resistencia negativa. El dispositivo tiene tensiones de conmutación simétricas, entre 20 y 40 V y está diseñado específicamente para uso como disparador en circuitos de control de potencia de C.A. como los que usan triacs.
Diodo de unión: Diodo de dos terminales que contiene un sólo cristal de material semiconductor que se extiende desde tipo p hasta tipo n. Conduce la corriente más fácilmente en una dirección que en la otra y es un elemento básico del transistor de unión. Tal Diodo es la parte básica de un láser de inyección; la zona próxima a la unión actúa como una fuente de luz emitida. Cuando se fabrica en una forma geométricamente adecuada, el Diodo de unión se puede usar como célula solar.
Diodo detector: Diodo a menudo asociado con circuitos de microondas, que convierte energía RF en c.c o salida de vídeo.
Diodo disparador: Diodo de avalancha simétrico de tres capas empleado para controlar triacs y tiristores. Tiene un modo simétrico de conmutación, por lo que si para siempre que se excede la tensión de ruptura con cualquier polaridad.
Diodo de emisor de infrarrojos: aparato semiconductor con una unión semiconductora en el cual el flujo de radiación infrarroja se produce, no térmicamente, cuando circula una corriente como resultado de la tensión aplicada.
DIODO EMISOR DE LUZ-DIODO INVERSO:
Diodo de emisor de luz infrarroja: aparato optoelectrónico que contiene una unión pn semiconductora que emite energía radiante de longitudes de onda de 0,75-100 micrómetros cuando está polarizado en sentido directo.
Diodo equivalente: Diodo imaginario que consiste en un cátodo de tríodo o en un tubo multirejilla y un ánodo virtual al que se aplica una tensión de control de un valor tal, como la corriente de cátodo será la misma que la corriente del tríodo o del tubo multirejilla.
Diodo fijador de nivel: Diodo utilizado para fijar la tensión en un determinado valor en un circuito.
Diodo fotoparamétrico: dispositivo del tamaño de una píldora para detección y amplificación simultánea de energía óptima modulada en frecuencias de microondas.
Diodo Gunn: oblea muy pequeña de tipo n de arseniuro de galio que consiste en una fina capa activa de arseniuro de galio tipo n crecida en sustrato de baja resistividad del mismo material. El sustrato está ligado con el terminal de ánodo del encapsulado y la otra cara de la oblea tiene un contacto de cátodo evaporado conectado por medio de un hilo de oro unido.
Diodo inverso: unión aleada de germanio fuertemente dopada que funciona según el principio del túnel mecánico cuántico. El Diodo está a la inversa porque el camino fácil para la corriente está en la zona de tensión negativa de la característica de tensión -intensidad.
DIODO LAMBDA-DIODO MAGNÉTICO.
Diodo lambda: Diodo de dos terminales consistentes en un par de JFET (transistores de efecto de unión campo de unión) en un modo de agotamiento que se puede fabricar más fácilmente que los dispositivos convencionales de resistencia negativa. Pueden integrarse sólo en una pastilla o con dispositivos bipolares y MOS en la misma pastilla.
Diodo láser: Diodo de unión consistente en regiones de portadores positivos y negativos con una región de transición (unión) pn, que emite radiación electromagnética cuando los electrones inyectados con polarización directa se recombinan con huecos en las proximidades de la unión.
Diodo láser de inyección: fuente LED radiante encerrada en un área de unión extremadamente plana y con semiconductores huecos de banda directa, y que tiene una cavidad óptima de fabri-perot.
Diodo limitador: Diodo conectado para actuar como cortocircuito cuando su ánodo se haga más positivo que su cátodo; el Diodo tiende entonces a evitar que la tensión en los terminales de un circuito suba por encima de la tensión del cátodo.
Diodo LSA: Diodo de acumulación de carga espacial limitada. Es un Diodo para microondas, similar al Diodo Gunn, excepto que impide la formación de dominio o agrupamientos de cargas; por lo que se consigue una potencia de salida más alta a una frecuencia determinada con una cavidad de microondas que es varias veces más grandes que las frecuencias del tiempo de propagación.
Diodo magnético: dispositivo semiconductor sensible al magnetismo que tiene una resistencia interna que varía en función del campo externo. Se puede obtener una señal eléctrica alternando el campo magnético; así una magnitud no eléctrica puede ser convertida en otra eléctrica.
DIODO MEZCLADOR-DIODO PNPN (4 CAPAS).
Diodo mezclador: Diodo a menudo asociado a los circuitos de microondas, que combinan señales de RF de dos frecuencias para generar una señal de RF a una tercera frecuencia.
Diodo NR: dispositivo semiconductor de unión en el que se pone de manifiesto una resistencia negativa por la combinación de una ruptura por avalancha y una modulación de la conducción debida a la corriente que atraviesa la unión.
Diodo película de óxido de níquel: Diodo de estado sólido elaborado con una película de óxido de níquel. Puede pasar de inactivo a activo por aplicación de un impulso de 30 V y baja corriente durante 10 ms, y pasar de activo a inactivo por una aplicación de un impulso de 20 V y alta corriente durante 10 ms.
Diodo PIN: formado por un semiconductor en el que se ha difundido un dopante p en una lado, y dopante n en el lado opuesto, controlando el proceso de tal manera que una pequeña región película separa los regiones pn. El tiempo de almacenamiento del Diodo PIN es lo suficientemente grande para que no pueda rectificar ondas de frecuencia mayor o igual que en las microondas.
Diodo plasmático: máquina termodinámica que utiliza los electrones como fluido de trabajo, cuya energía potencial se convierte en una forma de energía útil (normalmente eléctrica).
Diodo PNP (4 capas): dispositivo semiconductor que se puede considerar como una estructura de dos transistores con dos emisores separados que alimentan a un colector común. Esta combinación constituye un lazo de realimentación que es inestable cuando la ganancia de bucle es mayor que la unidad. La inestabilidad da lugar a una corriente que aumenta hasta alcanzar un valor máximo limitado por las resistencias óhmicas.
DIODO RECTIFICADOR -DIODO TÚNEL:
Diodo rectificador: Diodo que presenta una característica tensión-corriente asimétrica y que se utiliza para rectificación de corriente y de tensión.
Diodo semiconductor rectificador: diseñado para la rectificación y que en su forma integral incluye sus montajes asociados y accesorios de refrigeración.
Diodo separador: pasa señales en una dirección a través de un circuito, pero que bloquea señales y tensiones en la dirección opuesta.
Diodo Schockley: controlado de cuatro capas sin conexión de base utilizado como Diodo conmutador o disparador.
Diodo túnel: Diodo pn al que se le ha añadido una gran cantidad de impurezas. El Diodo túnel tiene gran capacidad de movimiento de carga y una región de resistencia negativa por encima de un nivel mínimo de tensión aplicada.
Diodo Zéner: elemento de dos capas que, cuando se aplica una tensión superior a determinado valor , experimenta un brusco incremento de intensidad. Si se polariza directamente, el elemento se comporta como un simple rectificador. Pero cuando se le polariza inversamente, el Diodo presenta un codo en su característica tensión-intensidad.
josé leonardo moncada torres
c.i 18878408
EES
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